西數將在明年底量產BiCS6代3D閃存 核心容量確定提升接口速度翻倍

2021年閃存逐漸從96層過渡到了128層為主，再往下就是170層到200層的了，每家閃存廠商的方案都有所不同。

西數將在明年底量產BiCS6代3D閃存，堆棧層數提升到162，而且接口速度翻倍。

在閃存市場上，西數跟東芝是合作研發、生產的，BiCS技術其實主要是來自東芝，目前量產的主力是BiCS5。

2019年2月份發布，堆棧層數112層，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。

BiCS6閃存是下一代產品，堆棧層數最終確定為162層，而非之前所說的170+層，核心容量也提升到了1Tbit。

另外就是接口速度也將達到2.0Gbps，相比上代翻倍，不過距離三星最新的8代V-NAND閃存的2.4Gbps還有點距離。

根據西數的計劃，BiCS6閃存將從明年初開始生產，但真正大規模量產要到2022年底了，現在的BiCS5閃存還要過渡至少一年。

關鍵詞： 西數 BiCS6閃存 東芝