機(jī)械硬盤(pán)要想保持競(jìng)爭(zhēng)力，除了保持價(jià)格和可靠?jī)?yōu)勢(shì)，還要在容量、功能方面尋求突破。
第一大硬盤(pán)廠商希捷的方案是HAMR(熱輔助磁記錄)和多讀寫(xiě)臂技術(shù)，號(hào)稱已經(jīng)一眼望到了100TB。
在本周舉辦的重新想象機(jī)械硬盤(pán)的活動(dòng)中，西數(shù)正式宣布了業(yè)內(nèi)首款集成iNAND閃存芯片的20TB機(jī)械硬盤(pán)新品，采用了獨(dú)家的OptiNAND架構(gòu)技術(shù)。
iNAND閃存芯片并不是緩存，而是用于存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)，減少鄰軌干擾的刷新時(shí)間，一方面可以提高盤(pán)片存儲(chǔ)密度，一方面也提升了功能。
據(jù)悉，這款20TB機(jī)械硬盤(pán)采用9碟氦氣封裝，單碟2.2TB，ePMR(能量輔助垂直磁記錄)技術(shù)。此外，還有三級(jí)讀寫(xiě)臂以更加精準(zhǔn)地執(zhí)行讀寫(xiě)操作。
西數(shù)稱，OptiNAND并非混合架構(gòu)硬盤(pán)，而是一種更創(chuàng)新的體系，此前的硬盤(pán)在緊急斷電時(shí)DRAM里的緩存數(shù)據(jù)無(wú)法保存或最多2MB，而OptiNAND則提高50倍到100MB。
遺憾的是，西數(shù)并沒(méi)有給出明確的讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，但強(qiáng)調(diào)iNAND UFS閃存的加入，改善了突發(fā)型隨機(jī)讀寫(xiě)表現(xiàn)。
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