日本企業成功量產新一代100mm氧化鎵晶圓：創新紀錄

6 月 16 日消息 如今市面上許多智能手機、電腦充電器均采用了 GaN 氮化鎵功率芯片，實現了高功率密度，大幅減小產品體積。根據日經中文網消息，日本企業 Novel Crystal Technology 近日成功量產新一代功率半導體材料“氧化鎵”制成的 100mm 晶圓。

這家公司由電子零部件企業田村制作所和 AGC 出資成立，該產品將在年內量產供應客戶。這家公司僅供應 100mm 晶圓，購買者需要利用自家的設備進行切割并封裝成芯片。

目前的功率半導體材料主要包括碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 等，該公司表示，氧化鎵晶圓的價格比碳化硅 SiC 晶圓價格低，而且可以更加有效地控制電力。

IT之家了解到，新型碳化硅、氮化鎵等功率元件不僅可以用于充電器，還可用于通信基站、高鐵、工業設備以及電動汽車等場景，日本氧化鎵晶圓的量產，有利于進一步降低電子設備成本，提高效率。

關鍵詞： 日本 晶圓