江波龍電子全新DDR5內存實測數據首曝:魯大師測試跑分超19萬

發布時間:2021-03-16 11:46:10  |  來源:快科技  

2020年7月中旬JEDEC固態存儲協會正式發布DDR5 SDRAM內存標準規范后,DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。

江波龍電子今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品(ES1)。涉及兩款全新架構產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

此外,部分測試數據首次面向公眾公開。其中,展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板,搭配Longsys DDR5 32GB 6400內存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。

1、魯大師測試數據

首先呈現的是硬件配置,內存識別為Longsys ID。

通過魯大師測試,Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達19萬分有余。

2、AIDA64測試數據

通過測試,能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

為了更加直觀地體現性能的提升力度,還加入了DDR4的測試對比。根據數據顯示,Longsys DDR5在性能上實現了跨越式提升。

核心指標揭秘

糾錯能力增加

在優化DDR5 DRAM內核運算能力上,Longsys DDR5增加內置糾錯碼(ECC),全面實現數據糾錯能力,進一步提高數據完整性,同時也緩解了系統錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。

增加16n的預取模式

BL16使得Longsys DDR5內存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍,信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發性,并使系統中可用的內存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的強化

在DDR5新技術應用中除了DQ/DQS/DM繼續采用ODT功能,增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此,Longsys DDR5內存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應,讓信號傳輸更加純凈。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5內存使Bank Group的數量增加了一倍,并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲,加倍提高了系統的整體效率,允許更多頁面同時被打開。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根據標準還實現了一個新特性,稱為SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank,使所有其他Banks保持打開狀態以繼續正常操作。

未來的應用場景不斷革新和進步,對存儲技術提出了更嚴苛的要求,亦大大加速了DDR5發展進程,各大主流平臺對于DDR5的支持也推進迅速。

據悉,Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅動DRAM內存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業應用領域,比如服務器、云計算、數據中心、高性能計算機等應用領域均有望得到重點部署,此次迭代也為行業客戶提供了更出色的內存解決方案。

截止2021年3月12日,Longsys申請專利總數達到838個,其中境外專利申請178項;已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項;軟件著作權65項。

據悉,今年Longsys內存產品線仍將精益求精,持續提供更多的DDR5產品規格和技術服務。

關鍵詞: DDR5內存

 

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